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华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

发布日期:2017-12-28 浏览次数:632
      香港,2017年12月27日-(亚太商讯)-全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”,股份代号:1347.HK)今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存(90nmG2eFlash)工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。 华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存(90nmG1eFlash)工艺技术积累的基础上,于90nmG2eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nmG2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外,90nmG2采用了新的FlashIP设计架构,在保证高可靠性(即10万次擦写及25年数据保持能力)的同时,提供了极小面积的低功耗FlashIP。因此,90nmG2eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品,90nmG2eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nmG2eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。 目前,90nmG2eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。 华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“第二代的90nmG2eFlash工艺的成功量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化工艺,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网新能源汽车等高增长新兴市场。”
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